Информация о публикации

Просмотр записей
Инд. авторы: Мороков Ю.Н., Федорук М.П., Двуреченский А.В., Зиновьева А.Ф., Ненашев А.В.
Заглавие: Структуры с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge/Si для логических операций
Библ. ссылка: Мороков Ю.Н., Федорук М.П., Двуреченский А.В., Зиновьева А.Ф., Ненашев А.В. Структуры с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge/Si для логических операций // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т.46. - № 7. - С.960-965. - ISSN 0015-3222.
Внешние системы: РИНЦ: 20319210;
Реферат: rus: Представлены результаты моделирования Ge/Si структур с вертикально совмещенными квантовыми точками для реализации базовых элементов квантового компьютера, ориентированных на работу с электронными спиновыми состояниями. Для моделирования полей упругих деформаций использовался метод сопряженных градиентов и атомистическая модель на основе потенциала Китинга. Расчеты проведены в кластерном приближении с использованием кластеров, содержащих около 3 миллионов атомов, принадлежащих 150 координационным сферам. Рассчитаны пространственные распределения плотности энергии деформации и потенциальной энергии электронов для разных долин, формирующих дно зоны проводимости кремния. Показано, что создание многослойных структур с вертикально совмещенными квантовыми точками позволяет создать глубокие потенциальные ямы для электронов с возможностью организации туннельной связи по вертикали.
Издано: 2012
Физ. характеристика: с.960-965
Цитирование: 
1. M.H. Devoret, A. Wallraff, J.M. Martinis. arXiv:cond-mat/0411174 (2004)
2. M.V. Gurudev Dutt, L. Childress, L. Jiang, E. Togan, J. Maze, F. Jelezko, A.S. Zibrov, P.R. Hemmer, M.D. Lukin. Science, 316, 1312 (2007)
3. B.E. Kane. Nature, 393, 133 (1998)
4. D. Loss, D.P. DiVincenzo. Phys. Rev. A, 57, 120 (1998)
5. L. Fedichkin, M. Yanchenko, K.A. Valiev. Nanotechnology, 11, 387 (2000)
6. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
7. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойxтлендер. ФТП, 34, 1281 (2000)
8. O. Stier, M. Grundmann, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 59, 5688 (1999)
9. M. Califano, P. Harrison. J. Appl. Phys., 91, 389 (2002)
10. A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Yakimov. Nanotechnology, 13, 75 (2002)
11. K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65, 27 (2002)
12. T. Saito, Y. Arakawa. Physica E, 15, 169 (2002)
13. H. Fu, A. Zunger. Phys. Rev. B, 56, 1496 (1997)
14. J. Tersoff, C. Teichert, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 76, 1675 (1996)
15. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.А. Блошкин, А.В. Ненашев. Письма ЖЭТФ, 83, 189 (2006)
16. D. Grutzmacher, T. Fromherz, C. Dais, J. Stangl, E. Muller, Y. Ekinci, H.H. Solak, H. Sigg, R.T. Lechner, E. Wintersberger, S. Birner, V. Holy, G. Bauer. Nano Lett., 7, 3150 (2007)
17. А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский. ЖЭТФ, 118, 570 (2000)
18. P.N. Keating. Phys. Rev., 145, 637 (1966)
19. C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39 1871 (1989)